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Samsung präsentiert V-NAND-Speicher der 6. Generation mit bis zu 136 Schichten

Samsung hat am Dienstag seinen V-NAND-Speicher der sechsten Generation vorgestellt, der über 100 aktive Schichten bietet, um Kapazität und Dichte weiter zu verbessern. Um V-NAND mit über 100 Schichten aus Sicht der Leistung rentabel zu machen, musste das Unternehmen eine neue Technologie für das Schaltungsdesign verwenden. Der neue Speicher bietet eine um 10% geringere Latenz und verbraucht 15% weniger Strom als das Samsung V-NAND der Vorgängergeneration.

Das V-NAND der 6. Generation von Samsung verfügt über bis zu 136 Schichten sowie Charge-Trap-Flash-Zellen (CTF). Der neue Speicher verwendet einen Stapel und verwendet keine Technologien wie das Stapeln von Zeichenfolgen, um über 100 Schichten aufzubauen. Um minimale Fehler und geringe Latenzen zu gewährleisten, musste Samsung ein neues geschwindigkeitsoptimiertes Schaltungsdesign verwenden. Letzteres ermöglicht dem neuen 3D-TLC-256-Gbit-Chip laut Samsung eine Latenz von weniger als 450 Mikrosekunden (μs) für Schreibvorgänge und weniger als 45 μs für Lesevorgänge, was im Vergleich zu V-NAND der 5. Generation 10% schneller ist. Der neueste V-NAND verbraucht zudem weniger Strom als seine Vorgänger.

Es ist bemerkenswert, dass die neuen V-NAND-Bausteine ​​mit 136 Schichten und 256 Gbit 670 Millionen Löcher verwenden, verglichen mit 930 Millionen Löchern der vorherigen Generation. Dies bedeutet, dass die neuen Chips weniger Prozessschritte benötigen und einfacher herzustellen sind. Wichtig ist, dass Samsung seine 136-Schichten-Architektur mit dem geschwindigkeitsoptimierten Schaltungsdesign nutzen will, um V-NAND-Geräte mit über 300 Schichten zu bauen, indem drei der aktuellen Stapel übereinander montiert werden (wodurch sich die Kapazität eines Chips verdreifacht).

Zunächst wird Samsung V-NAND-Geräte mit 256 Gbit 3D TLC und 136 Layern anbieten, die zunächst für die 250-GB-SSDs von Samsung verwendet werden. Noch in diesem Jahr will Samsung V-NAND-Geräte mit einer Kapazität von 512 Gbit / s und 136 Layern herausbringen, die für andere Laufwerke sowie für eUFS-Speicherlösungen verwendet werden sollen.

Bei der V-NAND-SSD der sechsten Generation mit 256 GB muss darauf hingewiesen werden, dass der neue Samsung-Controller mit der Bezeichnung S4LR030 / S94G4MW2 verwendet wird.

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Quelle: Samsung

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