Auf der Veranstaltung Foundry Forum 2022 Samsung hat seinen Fahrplan fĆ¼r die Entwicklung von NAND-Chips der nƤchsten Generation, GDDR7-Grafikkarten und anderen Speicherchips bekannt gegeben.
Zu den bekanntesten davon gehƶrt, dass das Unternehmen in die 1-Milliarden-nm-Prozessphase zur Herstellung seiner Speicherchips mit nativen Geschwindigkeiten von 6,4-7,2 Gbit/s einsteigt. AuĆerdem sagte Samsung, dass der weltweit erste 1-TB-TLC-V-NAND noch in diesem Jahr auf den Markt kommen wird.
AnkĆ¼ndigungen von Samsung zu Speicherchips
Samsungs SpeichergeschƤft ist ebenso wichtig wie sein ElektronikgeschƤft und hat in den letzten Quartalen den GroĆteil des Umsatzes des Unternehmens ausgemacht. Vor Kurzem kĆ¼ndigte das Unternehmen auf der Foundry Forum 2022-Veranstaltung des Unternehmens einen klaren Fahrplan fĆ¼r seine zukĆ¼nftigen Entwicklungen in der Speicherbranche an.
Demnach Das Unternehmen wird im Jahr 2023 die 1-Milliarden-nm-Prozessphase erreichen, wobei die SpeicherchipkapazitƤt 24 Gb (3 GB) ā 32 Gb (4 GB) bei nativen Geschwindigkeiten von 6,4ā7,2 Gbps erreichen wird. DarĆ¼ber hinaus plant das Unternehmen, im Jahr 2026 den DDR6-Speicher auf den Markt zu bringen und im Jahr 2027 einen Chip mit 10 Gbit/s Geschwindigkeit herauszubringen.
Samsung sprach auch Ć¼ber die nƤchste Generation des Videospeichers ā GDDR7 ā und deutete an, dass die nƤchsten Flaggschiff-Grafikkarten von AMD und Nvidia in diesem Standard erscheinen werden. Und dann gibt es noch die Roadmap fĆ¼r seinen Flash-Speicher, wobei V9-NAND-Chips fĆ¼r 2024 erwartet werden.
Samsung sagte, sein V-NAND der neunten Generation befinde sich in der Entwicklung und werde bis 2024 in Massenproduktion gehen. Und bis 2030 hofft das Unternehmen, mehr als 1.000 NAND-Schichten stapeln zu kƶnnen, um zukĆ¼nftige datenintensive Technologien besser zu unterstĆ¼tzen, und versprach, den Kunden bis Ende dieses Jahres den weltweit ersten 1-TB-TLC-V-NAND auf den Markt zu bringen.
SchlieĆlich behauptet das Unternehmen, in den letzten Jahrzehnten fĆ¼hrend bei DRAM- und NAND-Chips gewesen zu sein und nebenbei auch einen DRAM der fĆ¼nften Generation der 10-nm-Klasse (1b) sowie den vertikalen NAND (V-NAND) der achten und neunten Generation entwickelt zu haben. All diese AnkĆ¼ndigungen bringen Samsung an die Spitze der Chipindustrie.
